Diffuse Röntgenstreuung an Frenkeldefekten in Kupfer

Martinsen, D.

Book/Report

FZJ-2018-01152

Diffuse Röntgenstreuung an Frenkeldefekten in Kupfer

Martinsen, D. (Corresponding author)FZJ*

1978
Kernforschungsanlage Jülich, Verlag Jülich

Jülich : Kernforschungsanlage Jülich, Verlag, Berichte der Kernforschungsanlage Jülich 1508, 93 p. (1978)

Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/17081

Report No.: Juel-1508

Abstract: Durch Einbau von Gitterdefekten kann eine Reihe der physikalischen Eigenschaften eines Festkörpers geändert werden. Diese Änderungen sind oft von großer technischer Bedeutung und sind deshalb seit längerer Zeit mit wissenschaftlichen Methoden untersucht worden, um ein grundlegenderes Verständnis für ihreUrsachen zu bekommen. In diesem Zusammenhang sind auch strahlungsinduzierte Defekte in Metallen Gegenstand recht intensiver Untersuchungen gewesen. Durch geeignete Wahl der Bestrahlungsverhältnisse können die einfachsten Gitterdefekte, wie einzelne Leerstellen (LS) und Eigenzwischengitteratome (ZGA), in Metallen erzeugt werden. Die Struktur und das Reaktionsverhalten dieser Primärdefekte waren von besonderem Interesse. Dabei wurde das Metall Kupfer, wo die Defekte im Gitter eine Vielzahl von Reaktionen unterlaufen, sozusagen als Prototyp gewählt. Während die Defekte nach Tieftemperaturbestrahlung eingefroren sind, werden sie bei höheren Temperaturen in sogenannten Erholungsstufen beweglich, wobei ZGA und LS rekombinieren oder Agglomerate bilden. Bei der Interpretation der experimentellen Ergebnisse entstand eine Kontroverse über die Zuordnung der Defektreaktionen zu den verschiedenen Erholungsstufen. In dieser Kontroverse spieltdie Struktur des ZGA und die Agglomeration der LS eine wichtige Rolle. Ziel dieser Arbeit war es, die atomistische Struktur von Gitterdefekten in Kupfer zu untersuchen. Mit der Methode der diffusen Röntgenstreuung sollte die Struktur des Eigenzwischengitteratoms bestimmt und die Agglomeratbildung von Leerstellen untersucht werden. Dazu wurden Kupfer-Einkristalle bei 4 K mit 3 MeV Elektronen bestrahlt, wobei Frenkeldefekte (ZGA und LS) in Konzentrationen von etwa 500 ppm erzeugt wurden. Die Streuexperimente wurden an einer Anlage durchgeführt, an der die Intensität der diffusen Röntgenstreuung mit hoher Genauigkeit gemessen werden konnte. [...]

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